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記憶體堆疊路線卡死!三星:16 層以上 HBM 需採 Hybrid bonding
科技新報 TechNews
· 2 天前
三星最近論文,製造 16 層以上高頻寬記憶體(HBM)記憶體必須採混合鍵合(Hybrid bonding)技術。 三星上個月於 IEEE 發表韓文論文,名為〈用於 HBM 堆疊的 ...
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